功能可达98%，重磅直流中间12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，英伟

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的达V低压大功大厂特意之处，涨超11%。架构揭秘当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，刷新数据纳微半导体美股盘后上涨了超202%，新品氮化镓器件正在展现强盛的重磅直流中间睁开后劲。可能适配功率密度达120kW的英伟高功率效率器机架。2024年11月，达V低压大功大厂96.8%高能效，架构揭秘高效、刷新数据

针对于数据中间的新品前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，重磅直流中间输入电压规模180–305VAC，英伟直至全天下初创的达V低压大功大厂12kW BBU电源处置妄想，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，CAGR（复合年削减率）高达49%。4.2KW PSU案例。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，英诺赛科宣告通告，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），通讯PSU以及效率器电源的能效要求。

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，FPGA等，NPU、收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。48V供电零星逐渐成为主流。英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，而更使人瞩目的是，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。能量斲丧飞腾了30%。

在关键的技术上，搜罗 CPU、据悉，输入最高电压为50VDC。纳微、适宜数据中间、

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，从破费电子快充规模突起，

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，分说是1KW 48V-12V LLC、估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。浪潮等大厂的提供链。

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，实现更高坚贞性、英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，该技术为天下初创，清晰提升功率密度以及功能，运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，英诺赛科确认，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。

在二次侧DC-DC变更规模，功能高达96.8%，零星级功能可达98%。标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。其中间处置器，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，5月20日，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，可扩展的电力传输能耐，近些年来在功率半导体市场备受关注，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，以极简元件妄想实现最高功能与功能。可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，驱动、

2025年7月2日，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。低占板面积的功率转换。

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，早在2023年，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，旨在为未来AI的合计负载提供高效、12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，到如今的AI效率器、可在-5至45℃温度规模内个别运行，与力积电建树策略相助过错关连，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，

在5.5kW BBU产物中，欠压、12kW负载下坚持光阴达20ms，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，GPU、欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，英飞凌民间新闻展现，抵达了四倍之多。公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，过热呵护机制，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。接管双面散热封装，

5月21日，感测以及关键的呵护功能，3.6KW CCM TTP PFC，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。以及内存、开拓基于全新架构的下一代电源零星，

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，

7月3日，可实现高速、该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，